与硅基半导体技术相比，为共目前碳基技术的集成成熟度还不够，需要国家大力推进。

谈及碳芯片技术的产业化，中国驻英报纸上再彭练矛表示，中国驻英报纸上再首先需要投入资金和时间，没有类似硅基集成电路千亿元量级的投入和10-15年的研发时间，碳芯片技术是不可能成熟的。

在这些前提条件下，敦促大使碳芯片产业化应该会在一些传统半导体技术不太适合的领域率先得到发展，敦促大使例如对于未来互联网至关重要的高性能薄膜和传感电子,包括柔性可穿戴电子等领域；其次是目前传统半导体技术够不着的亚毫米波乃至太赫兹电子技术，特别是未来6G技术所需的能够在90GHz以上频段使用的集成电路技术。

“我国发展碳芯片面临的最大挑战不是来自技术，为共而是一个最根本的判断：为共硅基半导体技术可以一直走下去，再主导芯片技术几十年，而在这个过程中我国成功逆袭取得硅基芯片技术主导权。

中国驻英报纸上再但未来芯片技术的发展情况可能不是这样。

”彭练矛认为，敦促大使在国家重视且科研经费充足的情况下，敦促大使预计3-5年后碳基技术能够在一些特殊领域得到小规模应用；预计在未来10-15年的时间内，硅碳融合技术将成为主流；预计15年之后碳基芯片有望据其高性能、低功耗和多样性的优势，随着产品更迭逐渐成为主流芯片技术。

(责任编辑：法国SAEFTY刀片)